Вы просматриваете
- Характеристики Модуль пам`ятi SO-DIMM 2x16GB/5600 DDR5 Kingston Fury Impact (KF556S40IBK2-32)
-
Бренд:Kingston Fury
-
Назначение:Для ноутбука
-
Тип памяти:DDR5
-
Объем памяти:32 GB
-
Количество планок:2 шт
-
Частота памяти:5600 МГц
-
Рабочее напряжение:1.1 В
-
Тип охлаждения:Без радиатора
-
Особенности:Профиль для разгона (XMP)
-
Гарантия:60 месяцев
Вы просматриваете
Отзывы o
Модуль пам`ятi SO-DIMM 2x16GB/5600 DDR5 Kingston Fury Impact (KF556S40IBK2-32)
С превосходной скоростью, функцией Plug N Play, удвоенным с 16 до 32 количеством банков и удвоенной с 8 до 16 длиной пакета Kingston FURY Impact DDR5 идеально подходит для геймеров и энтузиастов, которым нужна более высокая производительность на платформах следующего поколения.
Увеличивая скорость, емкость и надежность, Kingston FURY Impact DDR5 предлагает целый арсенал расширенных функций, таких как ECC на кристалле (ODECC) для повышения стабильности на экстремальных скоростях, два 32-битных подканала для повышения эффективности и интегрированная в модуль схема управления питанием (PMIC), обеспечивающая контроль и подстройку напряжений непосредственно на модуле памяти. При игре в самых экстремальных условиях, при стриминге в формате 4K и выше или при серьезной анимации и 3D-рендеринге, Kingston FURY Impact DDR5 — это следующее повышение уровня, при котором идеально сочетаются стиль и производительность.
Кроме того, Kingston FURY Impact DDR5 получила сертификат Intel XMP 3.0 и Certified, что означает, что пользователи могут рассчитывать на простой, стабильный и сертифицированный разгон.
Особенности:
-
Более высокая производительность: Память DDR5 на 50% быстрее, чем DDR4, что добавляет производительности в играх, рендере и многозадачных средах.
-
Поддержка технологии автоматического разгона Plug N Play Automatic Overclocking: Kingston FURY Impact DDR5 поддерживает автоматический разгон до максимальной частоты, указанной в спецификациях.
-
Сертификация Intel XMP 3.0: Повышение производительности памяти с предварительно оптимизированными таймингами, скоростью и напряжением питания для разгона.
-
Ниже энергопотребление, выше эффективность: Снижение тепловыделения и повышение эффективности системы благодаря низкому напряжению питания памяти Impact DDR5 1.1 В.
-
Повышенная стабильность при разгоне: Коррекция ошибок на кристалле (On-die ECC, ODECC) помогает обеспечить целостность данных при разгоне памяти для повышения ее производительности.
Вы просматривали
Товары категории